NTMFS4C808NAT3G MOSFET

发布时间： 2025/2/20 10:07:13 | 43 次阅读

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制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 16.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Qg-栅极电荷: 18.2 nC
Pd-功率耗散: 25.5 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 3 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 26 ns
系列: NTMFS4C08N
工厂包装数量：5000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 7 ns

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