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NTMFS0D8N02P1ET1G  Datasheet(PDF)

NTMFS0D8N02P1ET1G  规格书

制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 365 A
Rds On-漏源导通电阻: 680 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 52 nC
Pd-功率耗散: 139 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NTMFS0D8N02P1E
工厂包装数量：1500
子类别: Transistors
单位重量: 175 mg

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