深圳市威尔健半导体有限公司

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NTMFS4C08NT1G MOSFET

发布时间: 2024/12/27 17:26:15 | 15 次阅读

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NTMFS4C08NT1G 供货情况

NTMFS4C08NT1G 产品购买

NTMFS4C08NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料

制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 52 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Qg-栅极电荷: 18.2 nC
Pd-功率耗散: 2.51 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 33 ns
系列: NTMFS4C08N
工厂包装数量:1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 750 mg

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